1. FDB86102LZ
  2. FDB86102LZ
  3. FDB86102LZ
  4. FDB86102LZ
  5. FDB86102LZ

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDB86102LZ 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

3-FDB86102LZ

#1

数量:282
2+¥7.0965
20+¥7.0395
40+¥6.9635
100+¥6.897
500+¥6.8305
最小起订量:2
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:378
2+¥7.0965
20+¥7.0395
40+¥6.9635
100+¥6.897
500+¥6.8305
最小起订量:2
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:800
1+¥7.705
25+¥7.0886
100+¥6.8574
500+¥6.5492
1000+¥6.2411
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDB86102LZ产品详细规格

规格书 FDB86102LZ datasheet 规格书
FDB86102LZ datasheet 规格书
FDB86102LZ datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 30A
Rds(最大)@ ID,VGS 24 mOhm @ 8.3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 21nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1275pF @ 50V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 TO-263
包装材料 Tape & Reel (TR)

FDB86102LZ系列产品

FDB86102LZ相关搜索

订购FDB86102LZ.产品描述:Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R. 生产商: fairchild semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-57196138
    010-82149488
    010-82149008
    010-62155488
    010-82149921
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-83997440
    0755-83975736
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67683728
    0512-67684200
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com